Что такое cl в оперативной памяти?

InfoConnector.ru

Что такое cl в оперативной памяти?

Подробности Категория: Выбор электронных устройств

В этой статье я расскажу как выбрать и купить оперативную память для компьютера. Также узнаем, что такое «оперативная память». Выясним, на какие параметры следует обратить внимание при ее покупке.

Итак, начнем…

Что такое оперативная память и зачем она нужна?

Оперативная память – то место, где компьютер хранит данные, с которыми он в данный момент работает. При запуске любой программы компьютер помещает ее в оперативную память, а уж затем позволяет с ней работать.
Например, вы запустили программу MS WORD.

Что мы видим на мониторе? Вначале появилась заставка, затем появилось окно программы — это компьютер загрузил программу в оперативную память. Если запустить еще одну программу, компьютер так же вначале загрузит ее в оперативную память и только затем позволит с ней работать.

Понятно, чем больше программ мы запустим, тем больше объем оперативной памяти нам будет необходим.

Каждый пользователь компьютера рано или поздно, а иногда и всегда, сталкивается с притормаживанием компьютера. Обычно это проявляются в играх или когда на компьютере запущено много программ. Это, конечно же, раздражает и превращает работу за компьютером в муку. Одной из причин возникновения таких тормозов является недостаток в оперативной памяти компьютера.

Основные параметры оперативной памяти

Прежде, чем приступить к выбору оперативной памяти, давайте разберемся с ее основными параметрами. Остановимся только на тех, которые будут понятны обычному пользователю компьютера, в большинстве случаев других и не надо.

Рассмотрим несколько примеров обозначения оперативной памяти:

  • Original SAMSUNG DDR-III DIMM 2Gb
  • Original SAMSUNG DDR-III DIMM 2Gb ECC Registered+PLL
  • Kingston HyperX DDR-II DIMM 4Gb KIT 2*2Gb CL5
  • Kingston ValueRAM DDR-II DIMM 2Gb CL6

Быстренько пробежимся по параметрам, а к выбору приступим в следующем разделе:

  1. Первым в обозначении идет название производителя оперативной памяти. В представленных обозначениях это: Kingston и SAMSUNG. Есть еще: Corsair, Crucial, G.Skill, hynix, Kingmax, Patriot, Silicon Power, BrandName, Geil.
  2. Далее идет название продуктивной линейки. В нашем случае для модулей памяти Kingston, это HyperX, ValueRAM. Замечу, что в обозначении планок от SAMSUNG этого параметра нет.
  3. Далее, для модулей Kingston, в скобках идет зашифрованное название планки памяти. Если посмотреть внимательно, то можно расшифровать. Например, KHXKingston HyperX и т.п.
  4. «DDR-II» или «DDR-III «. Здесь зашифрован тип оперативной памяти. Бывает: DDR, DDR2, DDR3 и т.д. Для выбора между ними следует обратиться к техническому описанию на материнскую плату и выяснить какой из них с ней совместим. Чем больше цифра после аббревиатуры DDR тем современней оперативная память.
  5. DIMM — форм-фактор для памяти. DIMM — для обычных компьютеров, SODIMM — память для ноутбуков, -DIMM — для систем с процессорами Xeon.
  6. «2Gb» или «4Gb». Этот параметр говорить об объеме оперативной памяти в гигабайтах.
  7. «», «», «» — Этот параметр говорит о пропускной способности памяти, чем он больше, тем выше скорость работы модуля.
  8. » CL5″, «CL6». Еще один параметр, отвечающий за быстродействие модуля памяти — Латентность (тайминги). Параметр сложен для понимания, поэтому и рассматривать не будем. Скажу лишь одно, чем он меньше, тем лучше.

Определяемся с производителем оперативной памяти

Здесь советов давать не буду, одни фирмы подкупают низкой ценой, другие серьезным брендом. Что из этого выбрать решайте сами. Скажу, лишь одно, если вы докупаете память к своему компьютеру, берите той же фирмы, что и уже установленные планки, иначе велика вероятность всевозможных багов. То же самое касается и покупки нового компьютера, все модули памяти которого должны быть одинакового объема и одного производителя.

Читайте также  Что дает разгон оперативной памяти?

Определяемся с числом планок оперативной памяти

В большинстве случаев следует брать количество планок оперативной памяти кратное двум ( т.е 2-e, 4-e или 6 планок). Исключения: материнские платы с LGA 1366 — кратно трем (3 или 6 планок), LGA 2011 — кратно 4 (4 или 8 планок). Объясняю почему. Все дело в том, что обмен информации с оперативной памятью идет сразу по нескольким каналам (обычно два) и на каждый канал должен быть свой набор планок оперативной памяти.

Если вы поставите одну планку, то компьютер будет работать, но только в одноканальном режиме, само собой это негативно скажется на производительности компьютера.

Итак, подводим итог: Вместо одной планки 4Гб, берем 2 планки по 2Гб. Вместо одной планки 8Гб, берем 2 планки по 4Гб. Обратите внимание, что в магазине зачастую модули оперативной памяти продаются по 2 шт. в упаковке.

Определяемся с объемом оперативной памяти

Большинству пользователей для игры и работы вполне достаточно 4Gb оперативной памяти.

Если вы хотите установить больший объем памяти учтите следующие нюансы:

  • максимальный объем памяти для 32-разрядной Windows — не более 3Гб (на некоторых компьютерах 4Гб).
  • уточните в техническом описании на материнскую плату и процессор, какой объем памяти они поддерживают.

Если вы желаете установить меньше 4Гб памяти, учтите это:

  • Для Windows 7 минимальные требования: 1Гб для 32-разрядной системы или 2 Гб для 64-разрядной системы.
  • Для Windows 8 то же самое, что и для Windows 7
  • Для WindowsXP — не менее 128 МБ.

Определяемся с типом оперативной памяти

Выбираем тип модуля памяти SDRAM, DDR, DDR2, DDR3 и т.п. О том, какой тип памяти вам подходит, следует посмотреть в документации на материнскую плату. На данный момент, оптимальным решением будет планка типа DDR3.

Определяемся с пропускной способностью выбираемого модуля памяти

Как уже было сказано выше, пропускная способность маркируется так: , , . Цифры после «PC3-« и есть показатель пропускной способности в Мб/с (мегабайт в секунду). Думаю, понятно, что чем выше эта цифра, тем лучше. Но не спешите выбирать модуль памяти с максимально пропускной способностью, вначале проверьте, поддерживается ли она вашим процессором и материнской платой.

Латентность (тайминги)

Не буду вдаваться в подробности, скажу только одно, чем меньше цифры в этом параметре, тем лучше.

Напоследок небольшое предостережение. Для работы некоторых модулей оперативной памяти необходимо в БИОСЕ (BIOS) выставить напряжение питания. Это касается только тех модулей, напряжение питания которых нестандартно.

Источник: https://www.infoconnector.ru/kak-vybrat-i-kupit-pamyat-k-kompyuteru

Оперативная память подробно

Что такое cl в оперативной памяти?

Оперативная память или RAM (Random Access Memory) это модуль, функцией которого является хранение данных и предоставление их по требованию устройству или программе — по сути это посредник между процессором и дисковыми накопителями.

RAM является энергозависимым устройством, т.е. может работать лишь пока на него подается питание, при отключении которого все данные теряются.

Разберемся более подробно в характеристиках этого важнейшего устройства, без которого ваш ПК, смартфон, ноутбук или планшет будет обычной грудой железа.

Типы ОЗУ

RAM бывают нескольких типов, кардинально отличающихся характеристиками и архитектурой.

SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) – синхронная динамическая память с произвольным доступом.

Раньше была довольно популярной и использовалась почти во всех компьютерах, благодаря наличию синхронизации с системным генератором, который, в свою очередь, позволял контроллеру очень точно определять время, когда данные будут готовы.

В итоге значительно уменьшилось время задержек по циклам ожидания в связи с доступностью данных на каждом такте таймера. Сегодня вытеснена более современными типами памяти.

DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) – это динамическая синхронизированная память, в ее основе лежит принцип случайного доступа и двойная скорость обмена данными. Такой модуль обладает рядом положительных характеристик относительно SDRAM, важнейшая из которых – за 1 такт системного генератора осуществляется 2 операции, то есть при неизменной частоте пропускная способность на пике увеличивается в 2 раза.

Читайте также  Как разгрузить оперативную память в Windows 10?

DDR2 SDRAM – это следующая разработка, работает так же, как и у ОЗУ типа DDR, отличительная особенность данной модели заключается в удвоенной по объему выборке данных на такт (4 бита вместо 2х). Кроме того второе поколение стало более энергоэффективным, уменьшилось тепловыделение, а частоты выросли.

DDR3 SDRAM – новое поколение RAM, важнейшая отличительная особенность от DDR2 – выросшие частоты и уменьшенное потребление энергии. Также совершенно изменена конструкция ключей (специальные прорези для точного вхождения в слот).

Существуют модификации DDR3, отличающиеся еще меньшим потреблением энергии — DDR3L и LPDDR3 (напряжение у первой модели уменьшено до 1.35 В, а у второй до 1.2 В, тогда как у простых DDR3 оно равно 1.5В).

DDR4 SDRAM — новейшее поколение оперативной памяти. Характеризуется выросшей до 3,2 Гбит/с скоростью обмена данными, увеличенной до 4266 МГц частотой и значительно улучшенной стабильностью.

RIMM (RDRAM, Rambus DRAM) – память, основанная на тех же принципах, что и DDR, но с повышенным уровнем тактовой частоты, что было достигнуто за счет меньшей разрядности шины. Также при адресации ячейки номера строки и столбца предаются одновременно.

Стоимость RIMM была намного выше, а производительность лишь немногим превышала DDR, в итоге RAM этого типа просуществовали на рынке недолго.

Выбирайте тип RAM не только исходя из потенциала и характеристик вашей материнской платы, но и учитывая совместимость с другими составляющими системы.

Варианты физического расположения чипов (упаковка)

Устанавливаемые на модули ОЗУ чипы памяти располагаются либо с одной стороны (одностороннее месторасположение), либо с двух (двустороннее). В последнем варианте модули получаются достаточно толстыми, что не позволяет установить их на отдельные ПК.

Форм-фактор это

Специально разработанный стандарт в котором описаны размеры модуля ОЗУ, общее количество и месторасположение контактов. Существует несколько типов форм-факторов:

SIMM (Single in Line Memory Module) — 30 или 72 двухсторонних контакта;

RIMM – фирменный форм-фактор модулей RIMM (RDRAM). 184, 168 или 242 контакта;

DIMM (Dual in Line Memory Module) – 168, 184, 200 или 240 независимых, расположенных по обеим сторонам модуля, контактных площадок.

-DIMM (Fully Buffered DIMM) – исключительно серверные модули. Идентичны по форм-фактору DIMM с 240 контактами, но используют лишь 96, за счет последовательного интерфейса. Благодаря присутствующей на каждом модуле микросхеме AMB (Advanced Memory Buffer) обеспечивается высокоскоростная буферизация и конверсия всех сигналов, в том числе и адресации. Также значительно улучшены производительность и масштабируемость. Совместимы только с аналогичной полностью буферизованной памятью.

LRDIMM (Load Reduced Dual In-Line Memory Modules) – исключительно серверные модули. Оснащаются буфером iMB (Isolation Memory Buffer), снижающим нагрузку на шину памяти. Применяются для ускорения работы больших объемов памяти.

SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) – подвид DIMM с меньшими размерами для установки в портативные устройства, в основном — ноутбуки. 144 и 200 контактов, в более редком варианте — 72 и 168.

MicroDIMM (Micro Dual In-Line Memory Module) — еще уменьшенный SODIMM. Обычно имеют 60 контактов. Возможные реализации контактов — 144 SDRAM, 172 DDR и 214 DDR2.

Отдельного упоминания заслуживает низкопрофильная (Low Profile) память — созданные специально для невысоких серверных корпусов модули с меньшей, по сравнению со стандартными, высотой.

Форм-фактор является основным параметром совместимости RAM с материнской платой, поскольку при его несовпадении модуль памяти элементарно не получится вставить в слот.

Что такое SPD?

На каждой планке форм-фактора DIMM имеется маленький чип SPD (Serial Presence Detect), в котором зашиты данные о параметрах физических чипов. Данная информация имеет критическое значение для бесперебойной работы и считывается BIOS на этапе теста для оптимизации параметров доступа к ОЗУ.

Ранки модуля памяти и их количество

Блок памяти шириной 64 бита (72 для модулей с ECC), образованный N физическими чипами. Каждый модуль может иметь от 1 до 4 ранков, причем свое ограничение на количество ранков существует и у материнских плат.

Читайте также  Из чего состоит оперативная память компьютера?

Поясним — если на материнскую плату может быть установлено не более 8 ранков, то это значит что суммарное количество ранков модулей RAM не может превышать 8, например, в данном случае — 8 одноранковых или 4 двухранковых.

В независимости от того остались ли еще свободные слоты — при исчерпанном лимите ранков дополнительные модули будет установить невозможно.

Определить ранк для конкретного ОЗУ довольно просто. У компании Kingston количество ранков определяется одной из 3-х букв в центре маркировочного списка: S – это одноранговая, D – друхранговая, Q – четырехранговая. Например:

  • KVR1333D3LS4R9S/4GEC
  • KVR1333D3LD4R9S/8GEC
  • KVR1333D3LQ8R9S/8GEC

Прочие же производители указывают этот параметр как, например, 2Rx8, что означает:

2R — двухранковый модуль

x8 — ширина шины данных на каждом чипе

т.е. модуль 2Rx8 без ECC имеет 16 физических чипов (64х2/8).

Тайминги и латентность

Выполнение любой операции чипом памяти происходит за определенное число тактов системной шины. Требуемые для записи и считывания данных количества тактов и есть тайминги.

Латентность, если коротко — задержка обращения к страницам памяти, также измеряется в количестве циклов и записывается 3-я числовыми параметрами: CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge Time. Иногда добавляется четвертая цифра — «DRAM Cycle Time Tras/Trc», характеризующая общее быстродействие всей микросхемы памяти.

CAS Latency или CAS (CL) – ожидание от момента, когда данные были запрошены процессором и до начала их считывания с RAM. Одна из важнейших характеристик определяющих скорость работы ОЗУ. Маленькое CL говорит о высоком быстродействии RAM.

RAS to CAS Delay (tRCD) — задержка между передачей сигнала RAS (Row Address Strobe) и CAS (Column Address Strobe), необходимая для четкого отделения этих сигналов контроллером памяти. Проще говоря — запрос на чтение данных включает в себя номера строки и столбца страницы памяти и эти сигналы должны быть отчетливыми, в противном случае будут возникать множественные ошибки данных.

RAS Precharge Time (tRP) — определяет время задержки между деактивацией текущей строки данных и активацией новой. Иначе говоря – интервал, спустя который контроллер может снова подать сигналы RAS и CAS.

Тактовая частота, частота передачи данных (Data rate)

Частота передачи данных (Иначе — скорость передачи данных) — максимально возможное число циклов передачи данных в секунду. Измеряется в гигатрансферах (GT/s) или мегатрансферах (MT/s). Тактовая же частота определяет максимальную частоту системного генератора. Надо помнить, что DDR расшифровывается как Double Data Rate, что означает удвоенную частоту обмена данными относительно тактовой. Так, например для модуля DDD2-800 тактовая частота будет 400.

Пропускная способность (пиковая скорость передачи данных)

В упрощенном варианте рассчитывается как частота системной шины умноженная на передаваемый за такт объем данных.

Пиковая же скорость является произведением частоты и разрядности шины на количество каналов памяти (Ч×Р×К). На модуле памяти указывается как, например, PC3200, что, очевидно, означает — пиковая скорость передачи данных для этого модуля равна 3200 Мбайт/с.

Для оптимальной работы системы суммарное значение ПСПД планок памяти не должно превышать ПС шины процессора, исключением является двухканальный режим, когда планки будут занимать шину по очереди.

Что такое поддержка ЕСС (Error Correct Code)

Память с поддержкой ECC позволяет находить и исправлять спонтанные ошибки во время передачи данных. Физически ECC исполнена в виде дополнительного 8-разрядного чипа памяти на каждые 8 основных и представляет собой значительно улучшенный «контроль четности». Суть данной технологии состоит в отслеживании одного произвольно измененного в процессе записи/считывания 64-битного машинного слова бита с последующим его исправлением.

Буферизованная (регистровая) память

Характеризуется наличием на модуле RAM специальных регистров (буферов), обрабатывающих сигналы управления и адресации от контроллера. Несмотря на возникающий благодаря буферу дополнительный такт задержки, регистровая память тем не менее широко используется в профессиональных системах из-за пониженной нагрузки на систему синхронизации и значительно повышенной надежности.

Надо помнить, что буферизированная и небуферизированная память являются несовместимыми и не могут работать в одном устройстве.

Источник: http://Megagertz.ru/poleznaya-informaciya/operativnaya-pamyat-podrobno