Чем отличается ддр2 от ддр3 оперативная память?

Что такое DDR2 и DDR3 и в чем разница между ними

Как известно, DDR2 и DDR3, принадлежат к совершенно разным поколениям оперативной памяти и тех аспектов, которые их между собой отличают, существует огромное количество. Несмотря на их наличие, до сих пор не утихают споры, касательно того, имеет ли смысл переплачивать за DDR3, учитывая то, что DDR2., вернее ее характеристики, являются практически теми же.

Что собой представляют DDR2 и DDR3?

Появление DDR2, вызвало огромный фурор не только у представителей крупных ИТ-компаний, но также и у пользователей, которые просто не захотели отказываться от стандартной разновидности DDR. Если сравнивать вторую версию оперативной памяти со стандартной, то следовало бы отметить то, что DDR 2, способно передавать данные по обоим срезам. Кроме этого, их разница сводится к тому, что DDR 2, имеет возможность похвастаться наличием намного более быстрой шиной.

Кстати говоря, процедура передачи данных на них, может совершаться одновременно, причем сразу-же из четырех мест. Ввиду вышесказанного, мы и можем уверенно говорить о том, что скорость передачи данных DDR 2, будет в несколько раз превосходить ту, которая имеет место быть в случае с предыдущим поколением.

Кроме этого, такую оперативную память характеризуют относительно небольшим энергопотреблением и достаточно быстрым охлаждением.

DDR 2 казался максимально эффективным, вплоть к тому времени, пока не стало известно об существование DDR3.

Их помечают буквой «L», которая означает, что эта модель оперативной памяти, имеет возможность похвастаться наличием еще большего показателя энергосбережения. Пропускная способность у DDR 3, значительно превышает те показатели, которые предусмотрены в случае с какими либо-предыдущими моделями оперативной памяти.

Впрочем, уже сейчас DDR 3 — не может больше называться максимально эффективной разновидностью оперативной памяти, поскольку относительно недавно, о себе заявила DDR 4, которая согласно официальному заявлению компании-производителя, должна превзойти все предыдущие поколения.

Сравнение DDR 3 и DDR 4

Думаю, вы сами догадываетесь, что DDR 3 и DDR 4, представляют собой такие стандарты оперативной памяти, которые, к огромному сожалению, не могут быть взаимозаменяемыми, ну или совместимыми. Кроме этого, отличаются они скоростью осуществления собственной работы, а также некоторыми показателями частоты. Так, в том случае, если максимальная частота обыкновенной DDR 2, составляет всего 800 МГц, то в случае с DDR 3, этот показатель увеличивается к 1600 МГц.

Не рекомендуется ставить DDR 2 и DDR 3 на одну и ту же материнскую плату, поскольку они являются совершенно несовместимыми. Отличаются два этих стандарта памяти также и тем, что DDR3 расходует гораздо меньше электроэнергии, а также гораздо быстрее охлаждается.

Кстати говоря, в настоящий момент времени, в продаже находятся так называемые гибридные материнские платы, главной особенностью которых, является то, что у них имеются разъемы сразу-же под обе разновидности ОЗУ.

Однако, следовало бы учесть то, что пользоваться ими можно только отдельно друг от друга.

DDR 2 и DDR 3

Основные отличия DDR 2 и DDR 3, сводятся к следующему:

• Главной отличительной особенностью двух этих стандартов памяти, является то, что они имеют совершенно разные слоты и ввиду их наличия, является невозможным совместить их друг с другом.
• DDR 3, располагает намного большей тактовой частотой. В новой версии она составляет 1600 МГц, а в предыдущей — всего 800 МГ.
• В отличие от своей предыдущей версии, DDR3, имеет возможность похвастаться наличием намного большей пропускной способностью и гораздо меньшим энергопотреблением.

Действительно, в некоторых ситуациях совершенно не уместно заменять старенький DDR2, ведь в преимущественном большинстве случаев, особенно учитывая то, как значимая часть пользователей ПК, проводит свой досуг, хватит и его.

В то самое время, не следовало бы забывать о том, что DDR2 и DDR3 — это совершенно разные типы оперативной памяти и ввиду наличия настолько большого количества отличительных особенностей, совершенно глупо путать их между собой.

Кстати говоря, сейчас появился стандарт памяти DDR4, который также, как и все его былые аналоги, будет иметь целый перечень всевозможных отличий. При этом, стоить он будет гораздо дороже!

Источник: https://vchemraznica.ru/chto-takoe-ddr2-i-ddr3-i-v-chem-raznica-mezhdu-nimi/

DDR4 vs. DDR3: сравнительное тестирование оперативной памяти

Код вставки

08-10-2015

Выпуск платформы Socket LGA1151 наконец-то позволил сравнить между собой память стандартов DDR4 и DDR3 в равных условиях. Однако прежде чем перейти к результатам тестирования, предлагаем сначала более детально изучить различия между данными типами модулей. Это даст нам лучшее представление о том, чего стоит ожидать от новой памяти не только сейчас, но и в ближайшем будущем.

За разработку стандарта DDR4 ассоциация JEDEC взялась еще в 2005 году. В те времена в магазинах еще полных ходом продавались планки DDR2, и только планировался серийный выпуск модулей DDR3. Иными словами, инженеры уже тогда понимали, что возможности данных стандартов ограничены и рано или поздно они станут лимитировать либо вовсе не соответствовать уровню остальных комплектующих ПК.

Причем речь идет не только о пропускной способности памяти, но и о таких важных характеристиках, как энергопотребление модулей и их объем. Как можно убедиться из данной диаграммы, планки DDR4 обходят своих предшественников по всем параметрам.

Увеличение пропускной способности

Пропускная способность подсистемы памяти напрямую зависит от скорости работы модулей: чем она выше, тем быстрее осуществляется запись и чтение из памяти. Конечно, далеко не все приложения постоянно обмениваются большими массивами данных, поэтому в реальных условиях эксплуатации пользователь может и не ощутить преимущества от установки более производительных комплектов.

Но если мы говорим о специализированных программах наподобие видео- и фоторедакторов, CAD-систем или средств для создания 3D-анимации, то результат от применения скоростных модулей уже окажется куда существеннее. Также высокая пропускная способность подсистемы памяти важна при использовании встроенной графики. Ведь у iGPU нет доступа к быстрым чипам GDDR5, поэтому вся необходимая ему информация помещается в оперативную память ПК.

Соответственно, в данном случае установка более производительных комплектов памяти напрямую будет влиять на количество FPS на экране.

Для формата DDR3 стандартными являются частоты от 1066 МГц до 1600 МГц, и лишь недавно добавилось значение 1866 МГц. Для DDR4 же минимальная скорость работы начинается с отметки 2133 МГц. Да, вы скажете, что модули DDR3 могут наверстать разницу с помощью разгона. Но ведь то же самое доступно и для планок DDR4, у которых и разгонный потенциал выше. Ведь с помощью оптимизации параметров модули DDR3 обычно берут планку в 2400 – 2666 МГц, для DDR4 без проблем покоряются высоты в 2800 – 3000 МГц.

Если сравнивать стандарты DDR4 и DDR3 с точки зрения энтузиастов-оверклокеров, то и тут перевес будет на стороне DDR4. Уже сейчас достигнуто значение в 4838 МГц, а ведь прошел только один год после анонса нового формата. Напомним, рекордной частотой разгона для модулей DDR3 является 4620 МГц, которая была зафиксирована лишь через 7 лет после запуска стандарта DDR3 в производство. Одним словом, в плане скорости работы потенциал у памяти DDR4 очень большой.

Улучшение энергоэффективности

Вторым важным преимуществом модулей DDR4 является возможность функционирования на низких напряжениях. Так, для их корректной работы на номинальных частотах (2133 – 2400 МГц) достаточно всего лишь 1,2 В, что на 20% меньше, чем у их предшественников (1,5 В). Правда, со временем на рынок была выведена энергоэффективная память стандартов DDR3L и DDR3U с напряжением питания 1,35 и 1,25 В соответственно. Однако она стоит дороже и имеет ряд ограничений (как правило, ее частота не превышает 1600 МГц).

Память DDR4 также получила усовершенствованный интерфейс ввода/вывода данных под названием «Pseudo-Open Drain» (POD). От используемого ранее Series-Stub Terminated Logic (SSTL) он отличается отсутствием утечки тока на уровне драйверов ячеек памяти.

В целом же использование всего комплекса энергоэффективных технологий должно привести к 30%-ому выигрышу в энергопотреблении. Возможно, в рамках настольного ПК это покажется несущественной экономией, но если речь идет о портативных устройствах (ноутбуки, нетбуки), то 30% – не такое уж и маленькое значение.

Модернизированная структура

В максимальной конфигурации чип DDR3 содержит 8 банков памяти, тогда как для DDR4 доступно уже 16 банков. При этом длина строки в структуре чипа DDR3 составляет 2048 байт, а в DDR4 – 512 байт. В результате новый тип памяти позволяет быстрее переключаться между банками и открывать произвольные строки.

Микроархитектура DDR4 предполагает использование 8-гигабитных чипов, в то время как модули стандарта DDR3, как правило, создаются на основе микросхем емкостью 4 Гбит. То есть при одинаковом количестве чипов мы получим в два раза больший объем.

На сегодняшний день наиболее распространенными являются 4-гигабайтные модули (к слову, это минимальная емкость для планки памяти стандарта DDR4). Но в ряде зарубежных стран предлагаются уже и более емкие модули: на 8 и даже на 16 ГБ.

Заметьте, что при этом мы говорим о массовом сегменте рынка.

Для решения же узкоспециализированных задач без проблем можно создавать модули еще большего объема. Для этих целей предусмотрены 16-гигабитные чипы и специальная технология для их компоновки в корпусе DRAM (Through-silicon Via).

Например, компании Samsung и SK Hynix уже представили планки емкостью 64 и 128 ГБ. Теоретически же максимальный объем одного модуля DDR4 может составлять 512 ГБ.

Несмотря на увеличение всех основных характеристик, размеры планок памяти DDR4 и DDR3 остались сопоставимыми: 133,35 х 31,25 мм против 133,35 х 30,35 мм соответственно. В физическом плане изменилось лишь расположение ключа и количество контактов (с 240 их число увеличилось до 288). Так что даже при всем желании модуль DDR4 никак не удастся установить в слот для памяти DDR3 и наоборот.

Новый интерфейс связи с контроллером памяти

Стандарт DDR3

Стандарт DDR4

Новый стандарт памяти предусматривает использование и более прогрессивной шины связи модулей с контроллером памяти. В стандарте DDR3 применяется интерфейс Multi-Drop Bus с двумя каналами. При использовании сразу четырех слотов получается, что два модуля подключены к одному каналу, что не самым лучшим образом сказывается на производительности подсистемы памяти.

В стандарте DDR4 усовершенствовали этот интерфейс, применив более эффективную схему − один модуль на один канал. Новый тип шины получил название Point-to-Point Bus. Параллельный доступ к слотам однозначно лучше последовательного, поскольку в дальнейшем позволяет более эффективно наращивать быстродействие всей подсистемы.

Может быть сейчас особого преимущества пользователи и не ощутят, однако в дальнейшем, когда возрастут объемы передаваемой информации, оно станет более показательным. Ведь именно по такой же схеме развивалась видеопамять GDDR и интерфейс PCI Express.

Только использование параллельного доступа позволило в значительной степени увеличить их производительность.

Однако шина Point-to-Point Bus накладывает некие ограничения на количество используемых модулей. Так, двухканальный контроллер может обслуживать только два слота, а четырехканальный − четыре. При увеличении объемов планок стандарта DDR4 это не столь критично, но все же на первых порах может вызвать определенные неудобства.

Решается эта проблема довольно простым способом − путем установки специального коммутатора (Digital Switch) между контроллером и слотами памяти. По принципу своего действия он напоминает коммутатор линий PCI Express. В результате пользователю, как и прежде, будет доступно 4 или 8 слотов (в зависимости от уровня платформы), при этом будут использоваться все преимущества шины Point-to-Point Bus.

Новые механизмы обнаружения и коррекции ошибок

Так как работа на высоких скоростях с большими стеками данных увеличивает шанс возникновения ошибок, то разработчики стандарта DDR4 позаботились о реализации механизмов для их обнаружения и предупреждения.

На стороне же самого контроллера появилась возможность тестирования соединений без использования инициализирующих последовательностей.

Следующая страница >>

Подписаться на наши каналы

Социальные комментарии Cackle

Источник: https://ru.gecid.com/ram/ddr4_vs_ddr3_sravnitelnoe_testirovanie/

Типы и стандарты оперативной памяти

Приветствую, дорогие читатели! Сегодня я расскажу про типы оперативной памяти компьютера. Ее разновидностей существует много – достаточно, чтобы запутаться в параметрах.

Краткий экскурс в историю

Давным‐давно, когда компьютеры были большими, программы маленькими, а вирусов не существовало вообще, применялись модули SIMM нескольких модификаций: на 30, 68 и 72 контакта. Работали они в связке с процессорами от 286 до 486 включительно.

Сейчас найти такой компьютер в работоспособном состоянии крайне сложно: для него не существует современного софта. Программы, которые теоретически можно было бы запустить, на практике оказываются слишком тяжеловесными.

DIMM

Главное отличие от предшественника в том, что расположенные на обеих сторонах планки контакты независимы, в отличие от спаренных контактов на SIMM. Здесь уже задействована технология SDRAM – синхронная динамическая память с произвольным доступом.Массовый выпуск этого типа памяти начался в 1993 году. Предназначались такие модули, в первую очередь, для процессора Intel Pentium или Celeron на 64‐разрядной шине данных.

Модули памяти SO‐DIMM более компактны, так как используются в ноутбуках.

DDR

Если точнее, правильно такой тип памяти называется DDR SDRAM. Появилась на рынке в 2001 году и использовалась в качестве оперативки и видеопамяти. Отличия от предшественника в удвоенной частоте, так как планка способна передавать данные дважды за один такт.

Это первый из типов модулей памяти, который может работать в двухканальном режиме.

Подробнее о том, что такое двухканальный режим, вы можете узнать здесь.

И так да, DDR SDRAM и ее потомки выпускаются в формфакторе DIMM, то есть имеют независимые контакты с обеих сторон.

DDR2

Этот тип памяти смог составить конкуренцию предшественнику уже в 2004 году и занимал лидирующие позиции до 2010 года. Планки выпускались в формфакторах DIMM для десктопных компьютеров и SO‐DIMM для портативных.

По сравнению с предшественником этот тип памяти имеет:

• Большую пропускную способность;
• Меньшее энергопотребление;
• Улучшенное охлаждение благодаря конструкции.

К недостаткам стоит отнести более высокие тайминги оперативной памяти. Что это такое можно узнать здесь.

DDR3

Подобно предшественнику, выпускаются в виде 240‐контактной планки, однако несовместимы из‐за разных разъемов (далее расскажу об этом более подробно).

Тип памяти отличается еще большей частотой и меньшим энергопотреблением, а также увеличением предподкачки с 4 до 8 бит. Существует модификация DDR3L со сниженным до 1,35 В рабочим напряжением. Кстати, о частоте. Есть несколько модификаций: 1066, 1333, 1600, 1866, 2133 или 2400 с соответствующей скоростью передачи данных.Выпускается с 2012 года. Компьютеры, использующий этот тип памяти, работают до сих пор. Объем установленных модулей от 1 до 16 Гб. В формфакторе SO‐DIMM «потолок» – 8 Гб.

DDR4

Четвертое поколение удвоило количество внутренних банков, благодаря чему увеличилась скорость передачи внешней шины. Массовое производство началось с 2014 году. У топовых моделей пропускная способность достигает 3200 миллионов передач за секунду, а выпускаются они в модулях объемом от 4 до 128 Гб.

Имеют они уже 288 контактов. Физические размеры детали те же, поэтому разъемы упакованы плотнее. По сравнению с DDR3 незначительно увеличена высота.Модули SO‐DIMM имеют по 260 контактов, расположенных ближе друг к другу.

А что дальше?

А дальше, полагаю, стандарты DDR5 и далее по нарастающей (но это неточно). Возможно, неожиданно изобретут нечто эдакое, что кардинально изменит архитектуру ЭВМ и сделает оперативную память для ПК лишним элементом.

Интересная тенденция: у каждого следующего поколения памяти увеличиваются тайминги, что инженеры стараются компенсировать увеличением рабочей частоты и скоростью передачи данных. Настолько эффективно, что следующее поколение оказывается шустрее предшественников.

Именно поэтому еще раз акцентирую ваше внимание на том, что при выборе комплектующих старайтесь «плясать» от стандарта DDR4 как самого нового и прогрессивного.

Совместимость типов памяти

Существует заблуждение, что из‐за особенностей интерфейса планку памяти невозможно вставить в неподходящие слоты. Скажу так: достаточно сильный парень (и даже некоторые девчонки) вставит что угодно куда угодно – не только оперативную память, но и процессор Intel в слот для AMD. Правда, есть одно НО: работать такая сборка, увы, не будет.

Остальные юзеры, собирающие компы аккуратно, обычно оперативку вставить в неподходящий слот не могут. Даже если планки имеют одинаковые габариты, это не позволит сделать так называемый ключ. Внутри слота есть небольшой выступ, не дающий смонтировать несоответствующий тип ОЗУ. На подходящей же планке в этом месте есть небольшой вырез, поэтому вставить ее можно без проблем.

Как определить модель

Встроенные в Windows утилиты позволяют узнать только минимальную информацию – объем установленной памяти. Какого она типа, таким способом узнать невозможно. На помощь придет сторонний софт, выдающий полную информацию о системе – например, Everest или AIDA64.

Также тип памяти прописан в BIOS. Где именно указана эта информация и как вызвать BIOS, зависит от его модификации. В большинстве случаев достаточно удерживать кнопку Del при запуске компьютера, однако возможны исключения.

Естественно, маркировка указывается на самой оперативке, а точнее на приклеенном шильдике. Чтобы добраться до планки, придется разобрать корпус и демонтировать ее. В случае с ноутбуком эта простая задача превращается в увлекательнейший квест с просмотром подробных инструкций по разборке.

Вот, собственно, все о типах оперативки, что достаточно знать для самостоятельного подбора комплектующих. И если вы собираете игровой комп, рекомендую ознакомиться с информацией о влиянии оперативной памяти в играх.

Спасибо за внимание и до следующих встреч! Не забывайте подписаться на обновления этого блога и делиться публикациями в социальных сетях.

С уважением автор блога Андрей Андреев.

Источник: https://infotechnica.ru/pro-kompyuteryi/ob-operativnoy-pamyati/tipyi-i-standartyi/

Можно ли совмещать разные планки оперативной памяти

Оперативная память – мадам капризная. В одиночку на многое не способная, но крайне привередливая в выборе пары: мол, не подселяйте мне кого попало. Причем неуживчивый характер ОЗУ может дать о себе знать как сразу после появления соседки, так и со временем. Например, когда вам срочно понадобится компьютер.

Сегодня поставим все точки над «Ё» в вопросах, можно ли совмещать разные планки оперативной памяти на одном ПК, возможна ли совместная работа ОЗУ разных поколений, типов, объема, частоты и производителей. И если возможна, то при каких условиях.

[NEW] и F1 на начало 2019 года:
ноутбуки, роутеры для дома, МФУ, Power bank, SSD, Smart TV приставки с поддержкой 4K UHD, игровые видеокарты, процессоры для ПК, усилители Wi-Fi, смартфоны до 10000 рублей, планшеты для интернет-серфинга, антивирусы

Связь поколений

Моя материнская плата имеет слоты для оперативки поколений DDR2 и DDR3. Можно ли установить на нее плашки того и другого типа?

Однозначный ответ – нет. Такие гибридные модификации материнских плат выпускались на рубеже перехода от стандарта DDR2 к DDR3. Они способны работать либо с памятью DDR2 частотой 667, 800 и 1066 mHz, либо с DDR3 частотой 1066 и 1333 mHz. Если установить на такую плату DDR2 и DDR3 вместе (разумеется, в слоты своего типа), компьютер не запустится.

DDR3 + DDR3L = ?

Возможно ли совместное использование двух модулей RAM, один из которых DDR-3, а второй – DDR-3L? Чем второй отличается от первого?

Память DDR3 длительное время была безальтернативным выбором. И лишь незадолго до выхода на рынок DDR4 увидела свет ее новая модификация – DDR3L. Литера «L» в названии последней означает «low voltage» – низковольтная.

Оперативка DDR3L питается от напряжения 1,35 V, а ее предшественница потребляет 1,5 V – это и есть их главное различие. Внешне планки того и другого типа выгладят одинаково.

Стандарт DDR3L полностью совместим с материнскими платами и процессорами, предназначенными для DDR3, но не наоборот. Так, процессоры Intel микроархитектуры Skylake S официально не поддерживают DDR 3, хотя поддерживают DDR 3L.

Совместное использование модулей того и другого типа иногда возможно, но нежелательно. Вся память, установленная в слоты одной материнской платы, питается от напряжения одинакового уровня, поэтому в оптимальных условиях будет находиться только одна из планок. Компьютеры с такой конфигурацией ОЗУ работают, как правило, нестабильно, а некоторые и вовсе не включаются.

Объемы и каналы

Я хочу установить оперативку во все 4 слота, имеет ли значение объем каждого модуля? Какая комбинация будет работать быстрее – 4 планки по 2 Гб, 2 планки по 4 Гб или 1 планка на 8 Гб?

Единственное требование к объему оперативной памяти – чтобы он не превышал максимально допустимый, иначе компьютер не включится либо часть памяти останется неиспользуемой. Утверждения, что вся оперативка должна быть одинаковой емкости – миф. Много ее не бывает, поэтому ставьте сколько хотите.

Все современные десктопы и многие ноутбуки поддерживают многоканальный режим ОЗУ. При таком способе организации доступ к памяти идет не по одному, а по нескольким параллельным линиям, что заметно увеличивает производительность машины.

Из трех представленных комбинаций самой быстрой будет вторая – 2 планки по 4 Гб, если распределить их по одной на канал. Почему две, а не четыре? Потому что фактическая скорость обмена данными между контроллером и каждым модулем ОЗУ неодинакова, и чем больше планок, тем больше времени затрачивается на их синхронизацию.

Чтоб модули оперативки работали в многоканальном режиме, они должны быть:

• Одинаковой частоты.
• Примерно одной емкости (небольшие различия иногда допустимы).
• Одного типа (например, только DDR3 или DDR3L).

А их общее количество должно быть четным.

Кстати, слоты ОЗУ одного канала часто делают одноцветными. Но не всегда. Чтобы узнать, где они находятся на вашей материнке, лучше загляните в ее инструкцию.

Частоты и тайминги

Можно ли комбинировать плашки памяти разной частоты и с разными таймингами? Если да, то на какой частоте они работают?

Можно. Каждая единица ОЗУ хранит информацию о поддерживаемых частотах и таймингах внутри себя (в микросхеме SPD). Контроллер памяти считывает эти данные и подбирает режим, в котором могут работать все модули. Как правило, это частота и тайминги самого медленного из них.

Разные производители

Обязательно ли покупать оперативку одного производителя?

Желательно приобретать оперативную память не просто одного бренда, а фабричные наборы из нескольких модулей. Эти устройства прошли совместное тестирование и гарантированно способны работать «в общей упряжке».

Случается, что ОЗУ одной марки и модели, купленные по отдельности, никак не могут «найти общий язык». Бывает и наоборот, когда различные по происхождению девайсы демонстрируют отличную командную работу. Как повезет, но первый вариант – скорее исключение. Чаще всего плашки разных производителей с близкими характеристиками оказываются совместимыми.

Можно ли совмещать разные планки оперативной памяти в одном компьютере обновлено: Апрель 26, 2018 автором: Johnny Mnemonic

Источник: https://f1comp.ru/zhelezo/mozhno-li-sovmeshhat-raznye-planki-operativnoj-pamyati-v-odnom-kompyutere/

Тип оперативной памяти, DDR2, DDR3

Тип DDR (Double Data Rate) подразумевает то, что за 1 такт выполняются 2 операции с данными. И для вычисления тактовой частоты памяти необходимо частоту её шины умножить на 2, так как данные передаются на подъеме и спаде тактового импульса.

В каждом новом поколении DDR уменьшается размер транзисторов, уменьшение напряжения и большей плотностью памяти. При этом внутренняя тактовая частота памяти не меняется, а тактовая частота буфера ввода-вывода увеличилась за счет размера prefetch. Модуль DDR3-2400 работает на физической частоте 300 МГц и размером prefetch равный 8 бит.

Тактовая частота буфера ввода-вывода равна 1200 МГц и за счет технологии удвоенной передачи данных 1200*2= 2400 Мгц.

Память DDR2 vs DDR3

Пока выбирать приходится между двумя типами – DDR2 и DDR3. Производство DDR4 прогнозируют на 2012 году.

DDR3 появились на рынке в 2007 году, однако новые модули памяти не пользовались особой популярностью. Слишком завышенная цена, низкий прирост производительности в первых партиях и небольшой выбор материнских плат поддерживающих DDR3 отталкивал не только покупателей, но и производителей. Исчерпав возможности DDR2, выпущенную в 2003 г., необходимо было переходить на новый тип памяти.

Спецификация памяти DDR2

Название	Частота памяти	Время такта	Частота шины	Число передач данных в секунду	Название модуля	Пиковая скорость передачи данных
DDR2-400	100 МГц	10 нс	200 МГц	400 млн.	PC2-3200	3 200 Мбайт/с
DDR2-533	133 МГц	7,5 нс	266 МГц	533 млн.	PC2-4200	4 266 Мбайт/с
DDR2-667	166 МГц	6 нс	333 МГц	667 млн.	PC2-5300	5 333 Мбайт/с
DDR2-800	200 МГц	5 нс	400 МГц	800 млн.	PC2-6400	6 400 Мбайт/с
DDR2-1066	266 МГц	3,75 нс	533 МГц	1 066 млн.	PC2-8500	8 533 Мбайт/с

Отличие в том, что DDR3 потребляет на 40% меньше энергопотребления (что полезно для ноутбуков) и имеет пропускной канал до 2400 МГц. Снижение энергозатрат связано с уменьшением технологического процесса.

Спецификация памяти DDR3

Название	Частота памяти	Время такта	Частота шины	Передач данных в секунду	Название модуля	Пиковая скорость
DDR3-800	100 МГц	10 нс	400 МГц	800 млн.	PC3-6400	6 400 Мбайт/с
DDR3-1066	133 МГц	7,5 нс	533 МГц	1 066 млн.	PC3-8500	8 533 Мбайт/с
DDR3-1333	166 МГц	6 нс	667 МГц	1 333 млн.	PC3-10600	10 667 Мбайт/с
DDR3-1600	200 МГц	5 нс	800 МГц	1 600 млн.	PC3-12800	12 800 Мбайт/с
DDR3-1800	225 МГц	4,44 нс	900 МГц	1800 млн.	PC3-14400	14400Мбайт/с
DDR3-2000	250 МГц	4,00 нс	1000 МГц	2000 млн.	PC3-16000	16000 Мбайт/с
DDR3-2133	266 МГц	3,75 нс	1066 МГц	2133 млн.	PC3-17066	17066 Мбайт/с
DDR3-2200	275 МГц	3,64 нс	1100 МГц	2200 млн.	PC3-17600	17600 Мбайт/с
DDR3-2400	300 МГц	3,33 нс	1200 МГц	2400 млн.	PC3-19200	19200 Мбайт/с

Из недостатков DDR3: более высокие задержки памяти, которые не всегда компенсируются шириной пропускного канала. Модули памяти DDR2-800 и DDR3-1333 можно считать равноценными по производительности. Задержки памяти увеличиваются с каждым новым поколением: CL2-3 у DDR1, CL3-5 у DDR2, CL5 и выше у DDR3, где CL – условное обозначение CAS латентности (задержка, при которой процессор запрашивает данные из памяти и время, которое нужно памяти, что бы сделать эти данные доступные для чтения)

Форм-фактор оперативной памяти

Следует учитывать тот факт, что карта памяти DDR2 не подойдет в слот DDR3, поэтому выбирая тип памяти — выбирайте из тех, что поддерживает ваша материнская плата.

Источник: https://hardwareguide.ru/%D0%BE%D0%BF%D0%B5%D1%80%D0%B0%D1%82%D0%B8%D0%B2%D0%BD%D0%B0%D1%8F-%D0%BF%D0%B0%D0%BC%D1%8F%D1%82%D1%8C/ddr/

В чем разница в типах оперативной памяти ddr3 и ddr3l

Оперативное запоминающее устройство, или ОЗУ, — это микросхемы для оперативного или временного хранения информации. Информация в ОЗУ сохраняется, пока на микросхему подается питание. При отключении питания информация теряется. Введи здесь текст

В англоязычной технической литературе такие устройства называют RAM — Random Access Memory, или памятью произвольного доступа.

• Статические и динамические ОЗУ
• Типы динамических ОЗУ
• Обзор оперативной памяти DDR3
• Характеристики DDR3
• Снижение напряжения питания микросхем
• В чем отличие ddr3 и ddr3l

Статические и динамические ОЗУ

Существует два типа ОЗУ: статические и динамические.

Элементарной ячейкой статического ОЗУ является триггер. Триггер состоит из двух транзисторных ключей, включенных навстречу друг другу так, что из состояния взаимно противоположны — когда открыт один ключ, второй закрыт и наоборот. Без внешнего сигнала переключения ключи остаются в неизменном состоянии пока на триггер подается питание. Для реализации триггера необходимо как минимум два транзистора на кристалле.

Элементарной ячейкой динамического ОЗУ является конденсатор. Заряженный конденсатор хранит 1, разряженный — 0. В качестве запоминающего конденсатора можно использовать собственную емкость затвора полевого транзистора, таким образом, появляется возможность реализовать ячейку памяти всего на одном транзисторе. Более высокая плотность размещения ячеек памяти на кристалле и определила использование динамической памяти для построения ОЗУ большого объема.

Конденсатор постепенно теряет свой заряд, поэтому его необходимо поддерживать в заряженном состоянии, или< как говорят — регенерировать. Поэтому в динамической памяти, кроме обычных операций чтения и записи, появляется еще и операция регенерации.

Типы динамических ОЗУ

Первоначально и статические и динамические устройства были асинхронными, то есть не требовали для своей работы тактовой частоты.

Быстродействие было примерно одинаковым и единственным существенным различием была необходимость регенерации в динамических ОЗУ.

Со временем быстродействие транзисторных ключей росло, а быстродействие динамической памяти ограничивалось тем, что заряд и разряд запоминающего конденсатора требует определенного времени. Динамическая память стала отставать от статической.

Разработчикам динамической памяти пришлось пойти на усложнение своих микросхем. Микросхемы динамической памяти получили на кристалле довольно сложную обвязку и устройство управления, для работы которого необходима подача тактовой частоты. Динамические ОЗУ стали синхронными и получили название SDRAM — Synchronous Dynamic RAM.

За счет различных схемотехнических ухищрений эффективное быстродействие SDRAM стало превышать пропускную способность шины памяти и шина стала узким местом.

Обычно в синхронных устройствах передача информации происходит по определенному фронту синхроимпульса — переднему (нарастающему) или заднему (спадающему).

Появились микросхемы DDR SDRAM, у которых в отличие от обычных SDRAM передача информации по шине осуществляется как по обоим фронтам синхроимпульса. Это позволило увеличить пропускную способность шины памяти вдвое. DDR и означает Double Data Rate, или удвоенную скорость данных.

Технология DDR развивалась и появились новые поколения этих устройств, сначала DDR2, затем DDR3. Последним поколением на сегодняшний день является DDR4, но оно еще не получило широкого распространения и самым распространенным типом остается DDR3 .

Обзор оперативной памяти DDR3

DDR3 SDRAM означает синхронную динамическую память третьего поколения с удвоенной скоростью передачи по шине данных. Память выпускается в виде модулей — печатных плат прямоугольной формы, на одной из длинных сторон которых располагаются контактные площадки для соединения с разъемами материнской платы.

В зависимости от исполнения контактов модули разделяются на два типа — SIMM и DIMM. SIMM или Single In line Memory Module — означает модуль памяти с одним рядом контактов. DIMM — модуль с двумя рядами контактов. У обоих типов модулей контактные площадки расположены на двух сторонах платы, но в модулях SIMM противоположные контакты соединены.

Модули памяти DDR2 и DDR3 имеют по 240 контактов. На контактной стороне модулей имеется специальный вырез — ключ. На модулях DDR2 и DDR3 ключи располагаются по-разному, что исключает установку одного модуля вместо другого. Выпускаются модули уменьшенного габарита для ноутбуков, которые обозначаются SoDIMM, So в обозначении расшифровывается как Small Outline, то есть малый наоборот.

Характеристики DDR3

Основные характеристики любого типа памяти — объем и быстродействие. Объем выпускаемых в настоящее время модулей составляет от 1 до 16 ГБ для стандартных модулей и до 8 ГБ для SoDIMM.

Быстродействие синхронной памяти определяется тактовой частотой шины и задержками в цикле обращения к памяти, которые характеризуют быстродействие самих микросхем памяти и называются латентностями (от английского Latency — задержка) или таймингами. Разных задержек указывается несколько — иногда до пяти. Для выбора модуля DDR3 можно не обращать особого внимания на задержки.

В системах DDR данные буферизуются, используется конвейерный ввод-вывод, при этом значение задержек собственно микросхем компенсируется. Кроме того, современные процессоры имеют на кристалле такие объемы быстродействующих статических ОЗУ в кеш-памяти второго и даже третьего уровня, что подкачка страниц между внутренним кешем и внешним ОЗУ происходит довольно редко. Поэтому в современных компьютерах быстродействие оперативной памяти престало играть определяющую роль.

характеристика быстродействия памяти DDR3 — частота передачи по шине данных. Для DDR3 она может быть в диапазоне от 800 до 2400 МГц. Частота шины в два раза ниже, поскольку передача данных идет два раза за цикл по обоим фронтам тактового сигнала. За счет буферизации еще делится на 4, то есть сама память работает на частоте в 4 раза ниже частоты шины.

Быстродействие модулей измеряется в мегабайтах за секунду. Поскольку шина имеет ширину в 64 бита или 8 байт в секунду, значение скорости обмена данными для модуля DDR3 будет в 8 раз больше частоты передачи по шине.

Самый, быстрый модуль с частотой данных 2400 МГц будет иметь скорость 19200 МБ в секунду и обозначение будет выглядеть как PC3−19200.

При выборе модуля, надо обязательно убедиться что тактовая частота шины модуля соответствует тактовой частоте процессорной шины вашего компьютера.

Снижение напряжения питания микросхем

Современные микросхемы изготавливаются по технологии КМОП. Транзисторный ключ в этой технологии состоит из двух полевых транзисторов, включенных по двухтактной схеме. В любом состоянии ключа один транзистор полностью открыт, другой — закрыт. В закрытом состоянии полевой транзистор практически не пропускает тока.

То есть, в стабильном состоянии КМОП ключ не потребляет ток от источника питания. Но у затворов полевых транзисторов есть емкость. И она имеет существенную величину. При переключении ключа происходит перезаряд затворных емкостей. А конденсатор, как известно, запасает энергию в виде электрического поля.

И эта энергия пропорциональна величинам емкости и напряжения.

Мощность определяет скорость изменения энергии и пропорциональна в нашем случае частоте переключения. Получается, что вся энергия источника питания расходуется на перезаряд затворных емкостей. И потребляемая мощность растет линейно с ростом тактовой частоты. Есть два пути понижения потерь мощности на перезаряд паразитных конденсаторов:

• Уменьшить их емкость.
• Уменьшить напряжение перезаряда — понизить напряжение питания.

С каждым новым шагом в совершенствовании технологического процесса изготовления интегральных микросхем линейные размеры транзисторов уменьшаются. Уменьшается и площадь паразитных конденсаторов, а соответственно и их емкость. Но и число транзисторов на кристалле тоже увеличивается.

Значит, надо добиться работы микросхем при как можно более низком напряжении питания. В результате с каждым новым поколением микросхем напряжение их питания уменьшается.

• DDR — 2, 5 В.
• DDR2 — 1, 8 В.
• DDR3 — 1, 5 В.
• DDR4 — 1, 2 В.

В чем отличие ddr3 и ddr3l

На рынке можно найти модули с микросхемами DDR3l и DDR3. Разница в том, что DDR3L — это модернизированная версия DDR3. L- означает Low или по-русски низкий, пониженный. Микросхемы DDR3l могут работать на пониженном напряжении 1,35 В. Но могут работать и при обычном для DDR3 напряжении 1,5 В. Лучше использовать соответствующие модули по своему прямому назначению.

DDR3L может устанавливаться вместо DDR3, а наоборот — нет. Если напряжения питания модулей памяти равно 1,35 в, то такая материнская плата предполагает использование только модулей DDR3L, и установка обычных модулей DDR3 невозможна.

Источник: https://komp.guru/tehnika/v-chem-raznitsa-v-tipah-operativnoj-pamyati-ddr3-i-ddr3l.html